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Technische Details PMPB16EPX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB16EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.6 A, 0.016 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMPB16EPX nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.72 EUR
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Verfügbarkeit |
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PMPB16EPX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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PMPB16EPX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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PMPB16EPX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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PMPB16EPX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
auf Bestellung 1875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMPB16EPX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PMPB16EP/SOT1220/SOT1220 |
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PMPB16EPX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB16EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.6 A, 0.016 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMPB16EPX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB16EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.6 A, 0.016 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMPB16EPX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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PMPB16EPX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
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| PMPB16EPX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -30A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -30A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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PMPB16EPX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.5A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418 pF @ 15 V |
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| PMPB16EPX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -30A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -30A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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