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PMPB20XNEAX

PMPB20XNEAX Nexperia

2029878808825913pmpb20xnea.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Technische Details PMPB20XNEAX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMPB20XNEAX PMPB20XNEAX Nexperia 2029878808825913pmpb20xnea.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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PMPB20XNEAX PMPB20XNEAX Nexperia USA Inc. PMPB20XNEA.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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PMPB20XNEAX PMPB20XNEAX NEXPERIA PMPB20XNEA.pdf Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
209+1.2 EUR
269+0.87 EUR
519+0.42 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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PMPB20XNEAX PMPB20XNEAX NEXPERIA PMPB20XNEA.pdf Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMPB20XNEAX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
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Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2386 Stücke:
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