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PMST5550,135

PMST5550,135 Nexperia


PMST5550_5551.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT NPN high-voltage transistor
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Technische Details PMST5550,135 Nexperia

Description: NOW NEXPERIA PMST5550 - SMALL SI, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 200 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMST5550,135 PMST5550,135 Hersteller : NEXPERIA 1745371780693149pmst5550_5551.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.3A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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PMST5550,135 PMST5550,135 Hersteller : NXP USA Inc. PMST5550_5551.pdf Description: NOW NEXPERIA PMST5550 - SMALL SI
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 200 mW
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