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PMST5551,115

PMST5551,115 Nexperia

PMST5551.pdf Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT323 160V
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Technische Details PMST5551,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMST5551,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMST5551,115 PMST5551,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMST5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.3A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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PMST5551,115 PMST5551,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMST5551,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMST5551,115 PMST5551,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002884548-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMST5551,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 300 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMST5551,115 Hersteller : NEXPERIA PMST5551.pdf PMST5551.115 NPN SMD transistors
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PMST5551,115 PMST5551,115 Hersteller : NEXPERIA 1745371780693149pmst5550_5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.3A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
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PMST5551,115 PMST5551,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMST5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.3A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 200 mW
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