PMV20XNEAR Nexperia
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Technische Details PMV20XNEAR Nexperia
Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote PMV20XNEAR nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.91 EUR
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PMV20XNEAR | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV20XNEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV20XNEAR | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 20V 6.3A |
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PMV20XNEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMV20XNEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV20XNEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.3 A, 0.016 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMV20XNEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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| PMV20XNEAR | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 20V; 6.3A; 1.19W; SOT23,TO236AB; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.3A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: 12V Application: automotive industry Technology: MOSFET Electrical mounting: SMT Power dissipation: 1.19W |
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PMV20XNEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMV20XNEAR | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMV20XNEAR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMV20XNEAR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.3A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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