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Technische Details PMV20XNER Nexperia
Description: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 510mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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PMV20XNER | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
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PMV20XNER | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV20XNER | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 30V 5.7A |
auf Bestellung 122272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV20XNER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV20XNER | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 24A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: unipolar Gate charge: 18.6nC On-state resistance: 37mΩ Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PMV20XNER | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 24A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Polarisation: unipolar Gate charge: 18.6nC On-state resistance: 37mΩ Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 24A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV20XNER | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V |
auf Bestellung 7625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV20XNER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV20XNER | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMV20XNER | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV20XNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.7 A, 0.019 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 510mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV20XNER | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
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