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PMV230ENEAR

PMV230ENEAR Nexperia


2038775066975806pmv230enea.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PMV230ENEAR Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : Nexperia PMV230ENEA.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 60V 1.5A
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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV230ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105460-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003105460-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV230ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.222 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : Nexperia 2038775066975806pmv230enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : NEXPERIA PMV230ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV230ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMV230ENEAR PMV230ENEAR Hersteller : NEXPERIA PMV230ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 900mA; Idm: 5.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.9A
Pulsed drain current: 5.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 441mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
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