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PMV250EPEAR

PMV250EPEAR Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 40V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMV250EPEAR Nexperia

Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PMV250EPEAR PMV250EPEAR Nexperia PMV250EPEA.pdf MOSFETs 40 V, P-channel Trench MOSFET
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PMV250EPEAR PMV250EPEAR NEXPERIA NEXP-S-A0002897890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMV250EPEAR PMV250EPEAR NEXPERIA NEXP-S-A0002897890-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
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Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMV250EPEAR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV250EPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 1.5 A, 0.24 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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