PMV450ENEAR Nexperia
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.063 EUR |
| 6000+ | 0.057 EUR |
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Technische Details PMV450ENEAR Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-236AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.
Weitere Produktangebote PMV450ENEAR nach Preis ab 0.057 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PMV450ENEAR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV450ENEAR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV450ENEAR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV450ENEAR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 13103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV450ENEAR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236ABQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV450ENEAR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 13103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV450ENEAR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 34380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV450ENEAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 323mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV450ENEAR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 323mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMV450ENEAR |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.063 EUR |
| 6000+ | 0.058 EUR |
| PMV450ENEAR |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.071 EUR |
| PMV450ENEAR |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.071 EUR |
| PMV450ENEAR |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1972+ | 0.074 EUR |
| 2097+ | 0.065 EUR |
| 3000+ | 0.062 EUR |
| 6000+ | 0.057 EUR |
| PMV450ENEAR |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.083 EUR |
| 6000+ | 0.075 EUR |
| 9000+ | 0.067 EUR |
| 21000+ | 0.065 EUR |
| 30000+ | 0.063 EUR |
| PMV450ENEAR |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 13103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2097+ | 0.084 EUR |
| 3000+ | 0.077 EUR |
| 6000+ | 0.07 EUR |
| PMV450ENEAR |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 323mW (Ta), 554mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 101 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 34380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 0.52 EUR |
| 73+ | 0.29 EUR |
| 157+ | 0.13 EUR |
| PMV450ENEAR |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 384+ | 0.65 EUR |
| 747+ | 0.31 EUR |
| 1475+ | 0.14 EUR |
| 1613+ | 0.13 EUR |
| PMV450ENEAR |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMV450ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 800 mA, 0.38 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 323mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.65 EUR |
| 747+ | 0.31 EUR |
| 1475+ | 0.14 EUR |
| 1613+ | 0.13 EUR |




