PMV45EN2VL NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.115W
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details PMV45EN2VL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV45EN2VL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.042 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.115W, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PMV45EN2VL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PMV45EN2VL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PMV45EN2VL | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PMV45EN2VL | Nexperia |
MOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PMV45EN2VL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PMV45EN2VL | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMV45EN2VL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMV45EN2VL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| PMV45EN2VL |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET
MOSFETs 20 V, 3.5 A P-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| PMV45EN2VL |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| PMV45EN2VL |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH