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PMV65XPEAR

PMV65XPEAR Nexperia

4381776181984015pmv65xpea.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PMV65XPEAR Nexperia

Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : Nexperia 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : NXP Semiconductors 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : Nexperia 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : Nexperia 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : Nexperia 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : NEXPERIA PMV65XPEA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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136+0.53 EUR
164+0.44 EUR
230+0.31 EUR
353+0.20 EUR
373+0.19 EUR
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Mindestbestellmenge: 136
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : NEXPERIA PMV65XPEA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : Nexperia PMV65XPEA.pdf MOSFETs PMV65XPEA/SOT23/TO-236AB
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Mindestbestellmenge: 5
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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21+0.84 EUR
33+0.54 EUR
100+0.29 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003100987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003100987-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PMV65XPEAR PMV65XPEAR Hersteller : NEXPERIA 4381776181984015pmv65xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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