PMV90ENER Nexperia
Produktcode: 215730
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 3,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 54 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 160/3,6
Bemerkung: 30 V, N-Kanal Trench-MOSFET
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.52 EUR |
Produktrezensionen
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PMV90ENER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm |
auf Bestellung 8405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMV90ENER | Nexperia |
MOSFETs PMV90ENE/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMV90ENER | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 0.118Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMV90ENER |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| PMV90ENER |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.13 EUR |
| PMV90ENER |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.13 EUR |
| 9000+ | 0.12 EUR |
| PMV90ENER |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 9000+ | 0.13 EUR |
| PMV90ENER |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
Description: NEXPERIA - PMV90ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3 A, 0.054 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 262+ | 0.95 EUR |
| 353+ | 0.65 EUR |
| 622+ | 0.35 EUR |
| 944+ | 0.23 EUR |
| 1235+ | 0.18 EUR |
| 3000+ | 0.17 EUR |
| 6000+ | 0.14 EUR |
| PMV90ENER |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMV90ENE/SOT23/TO-236AB
MOSFETs PMV90ENE/SOT23/TO-236AB
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.13 EUR |
| 10+ | 0.79 EUR |
| 100+ | 0.5 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| PMV90ENER |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
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| Taste tastend, IP65, GQ12H-10M-A Black Produktcode: 213083
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Daier
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: tastend
Bedrahtet/SMD: THT
Abmessungen, mm: d14x13,2 мм
Beschreibung: Taste schwarz tastend am Kabel, Schutzart: IP65. max. Spannung/Strom: 250VAC/3A. Betätigungskraft 5N. Montageloch: 12mm.
Kontakte: SPST-NO
Schaltfunktion: OFF-(ON)
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: tastend
Bedrahtet/SMD: THT
Abmessungen, mm: d14x13,2 мм
Beschreibung: Taste schwarz tastend am Kabel, Schutzart: IP65. max. Spannung/Strom: 250VAC/3A. Betätigungskraft 5N. Montageloch: 12mm.
Kontakte: SPST-NO
Schaltfunktion: OFF-(ON)
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 200 St.
- 200 St. - erwartet 08.12.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 2.58 EUR |
| Vandalismustaste LAS3-19F-11L/S Produktcode: 200798
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Daier
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: Vandalismustasten
Bedrahtet/SMD: THT
Abmessungen, mm: d=19x34 мм
Beschreibung: Vandalismustaste rastend 5A/250V. Kontakttyp: SPDT-NO. Schutzart: IP67. Montagelochdurchmesser: 19.5mm.
Kontakte: SPDT-NO
Schaltfunktion: OFF-ON
Passive Bauelemente > Tasten/Knöpfe und Tastatur
Typ: Vandalismustasten
Bedrahtet/SMD: THT
Abmessungen, mm: d=19x34 мм
Beschreibung: Vandalismustaste rastend 5A/250V. Kontakttyp: SPDT-NO. Schutzart: IP67. Montagelochdurchmesser: 19.5mm.
Kontakte: SPDT-NO
Schaltfunktion: OFF-ON
auf Bestellung: 167 St.
- 167 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.31 EUR |
| 10+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 3.49 EUR |









