Produkte > NEXPERIA USA INC. > PMZ200UNEYL
PMZ200UNEYL

PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc.


PMZ200UNE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
auf Bestellung 9244 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+0.58 EUR
51+0.35 EUR
115+0.15 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 31
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote PMZ200UNEYL nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Hersteller : Nexperia PMZ200UNE-2938658.pdf MOSFET PMZ200UNE/SOT883/XQFN3
auf Bestellung 13010 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.62 EUR
10+0.47 EUR
100+0.20 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Hersteller : Nexperia 805462352091921pmz200une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Hersteller : Nexperia 805462352091921pmz200une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Hersteller : NEXPERIA 805462352091921pmz200une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ200UNEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ200UNE.pdf PMZ200UNEYL SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Hersteller : Nexperia USA Inc. PMZ200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH