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PMZ320UPEYL

PMZ320UPEYL Nexperia

805495259792606pmz320upe.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
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Technische Details PMZ320UPEYL Nexperia

Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : Nexperia 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
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PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
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PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : Nexperia 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
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PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : Nexperia 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
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PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
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32+0.56 EUR
52+0.34 EUR
107+0.17 EUR
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2000+0.11 EUR
5000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
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PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : Nexperia PMZ320UPE.pdf MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
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5+0.59 EUR
10+0.37 EUR
100+0.17 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.11 EUR
5000+0.10 EUR
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PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMZ320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : NEXPERIA 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 150000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Hersteller : Nexperia 805495259792606pmz320upe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN T/R
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PMZ320UPEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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PMZ320UPEYL Hersteller : NEXPERIA PMZ320UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -600mA; Idm: -4A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -600mA
Pulsed drain current: -4A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 810mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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