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Technische Details PMZ350UPEYL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PMZ350UPEYL nach Preis ab 0.055 EUR bis 0.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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PMZ350UPEYL | Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZ350UPEYL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZ350UPEYL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 85581 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZ350UPEYL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 10242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZ350UPEYL | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R |
auf Bestellung 9875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A Case: DFN1006-3; SOT883 On-state resistance: 645mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: -2.8A Gate charge: 1.9nC |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMZ350UPEYL |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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| 8721+ | 0.076 EUR |
| 10000+ | 0.068 EUR |
| PMZ350UPEYL |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 570000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8721+ | 0.076 EUR |
| 10000+ | 0.068 EUR |
| 100000+ | 0.055 EUR |
| PMZ350UPEYL |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 85581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8721+ | 0.076 EUR |
| 10000+ | 0.068 EUR |
| PMZ350UPEYL |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 10242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1946+ | 0.1 EUR |
| 3000+ | 0.098 EUR |
| 6000+ | 0.061 EUR |
| PMZ350UPEYL |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 774+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| 2000+ | 0.13 EUR |
| PMZ350UPEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -2.8A
Gate charge: 1.9nC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -2.8A
Gate charge: 1.9nC
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PMZ350UPEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
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Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PMZ350UPEYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMZ350UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.33 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
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