PMZ600UNEZ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.075 EUR |
| 20000+ | 0.068 EUR |
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Technische Details PMZ600UNEZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote PMZ600UNEZ nach Preis ab 0.065 EUR bis 0.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PMZ600UNEZ | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V |
auf Bestellung 22733 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMZ600UNEZ | Nexperia |
MOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3 |
auf Bestellung 11565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMZ600UNEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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PMZ600UNEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMZ600UNEZ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 46+ | 0.46 EUR |
| 77+ | 0.27 EUR |
| 108+ | 0.19 EUR |
| 124+ | 0.17 EUR |
| PMZ600UNEZ |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
MOSFETs PMZ600UNE/SOT883/XQFN3
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.48 EUR |
| 12+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.1 EUR |
| 2500+ | 0.09 EUR |
| 10000+ | 0.082 EUR |
| 20000+ | 0.065 EUR |
| PMZ600UNEZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PMZ600UNEZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMZ600UNEZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.47 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.47ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)