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PMZB200UNEYL Nexperia


1179281806207626pmzb200une.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
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Technische Details PMZB200UNEYL Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia 1179281806207626pmzb200une.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
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PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia PMZB200UNE.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
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PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
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39+0.55 EUR
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PMZB200UNEYL NEXPERIA PMZB200UNE.pdf Description: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
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Supplier Device Package: DFN1006B-3
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
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