PN200/D74Z
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Technische Details PN200/D74Z
Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB), Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PN200_D74Z | onsemi |
 Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO92-3Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V |
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PN200_D74Z | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
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| PN200_D74Z | Shindengen |
Bipolar Transistors - BJT |
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| PN200_D74Z |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
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| PN200_D74Z |
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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| PN200_D74Z |
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Hersteller: Shindengen
Bipolar Transistors - BJT
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