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PN2222ABU

PN2222ABU ON Semiconductor

pn2222a-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details PN2222ABU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PN2222ABU PN2222ABU Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE4BBCCA055651F2469&compId=PN2222ABU.pdf?ci_sign=cc171fc8541e9ef01afa6a48e156bf0e557a085d Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Case: TO92
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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209+0.34 EUR
261+0.27 EUR
307+0.23 EUR
612+0.12 EUR
921+0.078 EUR
973+0.074 EUR
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Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Case: TO92
Frequency: 300MHz
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
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PN2222ABU PN2222ABU Hersteller : onsemi / Fairchild PN2222A_D-2037517.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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PN2222ABU PN2222ABU Hersteller : onsemi pn2222a-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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PN2222ABU PN2222ABU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PN2222ABU Hersteller : ON-Semicoductor pn2222a-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 PN2222ABU PN2222ATA TPN2222ata
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Produktcode: 106972
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