PN2222ABU


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Produktcode: 106972
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PN2222ABU PN2222ABU ON Semiconductor pn2222a-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 51945 Stücke:
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1632+0.098 EUR
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5000+0.061 EUR
10000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
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PN2222ABU PN2222ABU onsemi pn2222a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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PN2222ABU PN2222ABU onsemi pn2222a-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 78520 Stücke:
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36+0.58 EUR
58+0.36 EUR
100+0.23 EUR
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1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
50000+0.084 EUR
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PN2222ABU PN2222ABU ONSEMI ONSM-S-A0003589513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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319+0.79 EUR
521+0.44 EUR
834+0.26 EUR
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1435+0.15 EUR
5000+0.13 EUR
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PN2222ABU PN2222ABU ONSEMI PN2222ABU.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Collector current: 0.6A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 100...300
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