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PN2222ABU

PN2222ABU ON Semiconductor

pn2222a-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details PN2222ABU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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PN2222ABU PN2222ABU Hersteller : ONSEMI PN2222ABU.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
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PN2222ABU PN2222ABU Hersteller : onsemi pn2222a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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PN2222ABU PN2222ABU Hersteller : onsemi pn2222a-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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64+0.28 EUR
101+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.1 EUR
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10000+0.079 EUR
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PN2222ABU PN2222ABU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN2222ABU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 1 A, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PN2222ABU Hersteller : ON-Semiconductor pn2222a-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1A 625mW 3-Pin TO-92 PN2222ABU PN2222ATA TPN2222ata
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PN2222ABU PN2222ABU
Produktcode: 106972
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PN2222ABU Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor PN2222A_Fairchild.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 40, Ic = 1 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 300, hFE = 100 @ 150 мA, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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PN2222ABU Hersteller : ONS/FAI PN-MMBT-PZT2222A.pdf TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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