PN2907ATA ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details PN2907ATA ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800, MSL: -, Verlustleistung Pd: 625, Verlustleistung: 625, Bauform - Transistor: TO-226AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 800, Übergangsfrequenz: 200, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote PN2907ATA nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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PN2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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PN2907ATA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
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PN2907ATA | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW |
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PN2907ATA | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
auf Bestellung 4816 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PN2907ATA | Hersteller : Fairchild |
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auf Bestellung 110000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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PN2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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PN2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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PN2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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PN2907ATA | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
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PN2907ATA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PN2907ATA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN2907ATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800 MSL: - Verlustleistung Pd: 625 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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