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PN2907ATFR

PN2907ATFR ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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Technische Details PN2907ATFR ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Dauerkollektorstrom: 800mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PN2907ATFR PN2907ATFR ON Semiconductor pn2907a-fsc-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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PN2907ATFR PN2907ATFR onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 36000 Stücke:
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2000+0.097 EUR
4000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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PN2907ATFR PN2907ATFR ONSEMI pzt2907a-d.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
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358+0.2 EUR
618+0.12 EUR
875+0.082 EUR
1040+0.069 EUR
1163+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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PN2907ATFR PN2907ATFR onsemi pzt2907a-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
auf Bestellung 17160 Stücke:
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8+0.36 EUR
12+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
2000+0.079 EUR
4000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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PN2907ATFR PN2907ATFR onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 37392 Stücke:
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PN2907ATFR PN2907ATFR ONSEMI ONSM-S-A0013274681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PN2907ATFR PN2907ATFR ON Semiconductor pn2907a-fsc-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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PN2907ATFR Fairchild pzt2907a-d.pdf
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 22000 Stücke:
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PN2907ATFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
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Mindestbestellmenge: 2000
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PN2907ATFR
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.8A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
auf Bestellung 1859 Stücke:
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618+0.12 EUR
875+0.082 EUR
1040+0.069 EUR
1163+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
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2000+0.079 EUR
4000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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PN2907ATFR
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 37392 Stücke:
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Anzahl Preis
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62+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 39
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PN2907ATFR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN2907ATFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Dauerkollektorstrom: 800mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 3062 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PN2907ATFR pzt2907a-d.pdf
Hersteller: Fairchild
auf Bestellung 194000 Stücke:
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