PN3565
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Technische Details PN3565
Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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,TO-226_straightlead.jpg "PN3565") |
PN3565 | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
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PN3565 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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PN3565 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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