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PSC1065H-QJ

PSC1065H-QJ NEXPERIA

4395775.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Technische Details PSC1065H-QJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Kapazitive Gesamtladung: 22nC, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: SMD, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSC1065H-QJ PSC1065H-QJ Nexperia PSC1065H.pdf SiC Schottky Diodes PSC1065H-Q/SOT8017/TO252-2L
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10+4.49 EUR
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500+3.36 EUR
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PSC1065H-QJ PSC1065H-QJ NEXPERIA 4395775.pdf Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
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Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
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Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 2500 Stücke:
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PSC1065H-QJ PSC1065H-QJ Nexperia USA Inc. PSC1065H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2205 Stücke:
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3+9.01 EUR
10+5.95 EUR
50+4.64 EUR
100+4.21 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: Nexperia
SiC Schottky Diodes PSC1065H-Q/SOT8017/TO252-2L
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSC1065H-QJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 10 A, 22 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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PSC1065H-QJ
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
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