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PSC1065KQ

PSC1065KQ Nexperia


psc1065k.pdf Hersteller: Nexperia
Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
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Technische Details PSC1065KQ Nexperia

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V.

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PSC1065KQ PSC1065KQ Hersteller : Nexperia psc1065k.pdf Diode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220
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PSC1065KQ PSC1065KQ Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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19+3.90 EUR
23+3.23 EUR
24+3.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 18
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PSC1065KQ PSC1065KQ Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 42A
Leakage current: 120µA
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PSC1065KQ PSC1065KQ Hersteller : Nexperia PSC1065K.pdf SiC Schottky Diodes 650 V, 16 A SiC Schottky diode in D2PAK R2P
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10+5.14 EUR
50+5.12 EUR
100+4.21 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.20 EUR
2500+3.13 EUR
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PSC1065KQ PSC1065KQ Hersteller : Nexperia USA Inc. PSC1065K.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
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