PSMB033N10NS2_R2_00201 Panjit
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.12 EUR |
| 10+ | 6.03 EUR |
| 100+ | 4.3 EUR |
| 500+ | 3.5 EUR |
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Technische Details PSMB033N10NS2_R2_00201 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 219A; 333W; DFN5060-8, Pulsed drain current: 219A, Power dissipation: 333W, Gate charge: 85nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 68A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Kind of package: reel; tape, Case: DFN5060-8, On-state resistance: 3.4mΩ, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote PSMB033N10NS2_R2_00201 nach Preis ab 4.36 EUR bis 9.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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PSMB033N10NS2_R2_00201 | Panjit International Inc. |
 Description: 100V/ 3.3M / TO-263AB FOR INDUSTPackaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMB033N10NS2_R2_00201 |
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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 100V/ 3.3M / TO-263AB FOR INDUST
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: 100V/ 3.3M / TO-263AB FOR INDUST
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.26 EUR |
| 10+ | 6.13 EUR |
| 50+ | 4.78 EUR |
| 100+ | 4.36 EUR |