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Technische Details PSMN010-80YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0074 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN010-80YLX nach Preis ab 0.77 EUR bis 2.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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PSMN010-80YLX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN010-80YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN010-80YLX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN010-80YL/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 5557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN010-80YLX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 194W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6506 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4557 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN010-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN010-80YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0074 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4627 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN010-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN010-80YLX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 84A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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| PSMN010-80YLX | Hersteller : NEXPERIA |
PSMN010-80YLX SMD N channel transistors |
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