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PSMN012-100YS,115 Nexperia

Name: PSMN012-100YS,115
Brand: Nexperia
SKU: 5570093-5
Price: 1200 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Technische Details PSMN012-100YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.01 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote PSMN012-100YS,115 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.6 EUR

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PSMN012-100YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN012-100YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V

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504+	1.03 EUR
1000+	0.91 EUR

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PSMN012-100YS,115

Hersteller : NEXPERIA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Anzahl	Preis
32+	2.25 EUR
43+	1.67 EUR
74+	0.97 EUR
78+	0.92 EUR
1000+	0.91 EUR
1500+	0.89 EUR

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PSMN012-100YS,115

Hersteller : NEXPERIA

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43+	1.67 EUR
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78+	0.92 EUR
1000+	0.91 EUR

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PSMN012-100YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V

auf Bestellung 13370 Stücke:

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Anzahl	Preis
8+	2.46 EUR
10+	1.88 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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PSMN012-100YS,115

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MOSFETs NextPower 100 V, 11.8 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56 package

auf Bestellung 4587 Stücke:

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Anzahl	Preis
2+	2.6 EUR
10+	1.99 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.02 EUR
3000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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PSMN012-100YS,115

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0003059634-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PSMN012-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.01 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

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PSMN012-100YS,115

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Trans MOSFET N-CH 100V 60A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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