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PSMN014-40YS,115 Nexperia

Name: PSMN014-40YS,115
Brand: Nexperia
SKU: 14644300-5
Price: 465.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Technische Details PSMN014-40YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 56W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Weitere Produktangebote PSMN014-40YS,115 nach Preis ab 0.33 EUR bis 3.57 EUR

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Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V

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3000+	0.51 EUR
4500+	0.49 EUR
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NEXPERIA

NEXP-S-A0003059661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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144+	1.75 EUR

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Nexperia

MOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK

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10+	1.26 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.55 EUR
1500+	0.5 EUR
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PSMN014-40YS,115

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V

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11+	2.05 EUR
17+	1.29 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR

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PSMN014-40YS,115

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

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149+	1.44 EUR
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PSMN014-40YS,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN014-40YS,115

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Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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500+	0.4 EUR
1000+	0.33 EUR

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Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Anzahl	Privatkunde
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3000+	0.4 EUR

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PSMN014-40YS,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V

auf Bestellung 9000 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
1500+	0.56 EUR
3000+	0.51 EUR
4500+	0.49 EUR
7500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 1500 Stücke

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PSMN014-40YS,115

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 4500 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
4500+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 4500 Stücke

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PSMN014-40YS,115

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

auf Bestellung 144 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Privatkunde
144+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 144 Stücke

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PSMN014-40YS,115

Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN014-40YS/SOT669/LFPAK

auf Bestellung 41866 Stücke:

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Anzahl	Privatkunde
2+	2.01 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.55 EUR
1500+	0.5 EUR
3000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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PSMN014-40YS,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 46A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 20 V

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Anzahl	Privatkunde
11+	2.05 EUR
17+	1.29 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR

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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 46 A, 0.014 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 56W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm

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70+	3.57 EUR
124+	1.88 EUR
149+	1.44 EUR
200+	1.14 EUR
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