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PSMN014-60HSX Nexperia USA Inc.

Name: PSMN014-60HSX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 28278639-3
Price: 1440.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D

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Technische Details PSMN014-60HSX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 53W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 53W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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PSMN014-60HSX

Nexperia

MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 30A

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PSMN014-60HSX

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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PSMN014-60HSX

Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D

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PSMN014-60HSX

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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PSMN014-60HSX

Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 30A

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PSMN014-60HSX

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 53W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D

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PSMN014-60HSX

Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN014-60HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

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