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PSMN017-60YS,115

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Produktcode: 202290
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Transistoren > MOSFET N-CH

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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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1500+0.5 EUR
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN017-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.53 EUR
3000+0.49 EUR
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
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263+0.56 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 943 Stücke:
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74+0.97 EUR
87+0.82 EUR
107+0.67 EUR
120+0.6 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia 4380930357269305psmn017-60ys.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 108770 Stücke:
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438+1.25 EUR
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia PSMN017-60YS.pdf MOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 9420 Stücke:
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2+1.81 EUR
10+1.28 EUR
100+0.75 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.51 EUR
3000+0.5 EUR
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN017-60YS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 3614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+1.94 EUR
15+1.21 EUR
100+0.79 EUR
500+0.62 EUR
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN017-60YS,115 NXP PSMN017-60YS.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN017-60YS.115 PSMN017-60YS PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS NEXPERIA TPSMN017-60ys
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1500+0.5 EUR
3000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1500+0.5 EUR
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1500+0.53 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
263+0.56 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
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PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
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AnzahlPreis
263+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
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PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 943 Stücke:
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AnzahlPreis
74+0.97 EUR
87+0.82 EUR
107+0.67 EUR
120+0.6 EUR
250+0.55 EUR
500+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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PSMN017-60YS,115 4380930357269305psmn017-60ys.pdf
PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 108770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
438+1.25 EUR
500+1.11 EUR
1000+1 EUR
10000+0.87 EUR
100000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
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PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 9420 Stücke:
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PSMN017-60YS,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V
auf Bestellung 3614 Stücke:
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PSMN017-60YS,115 NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN017-60YS,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
Hersteller: NXP
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK PSMN017-60YS.115 PSMN017-60YS PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS NEXPERIA TPSMN017-60ys
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
50+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH