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PSMN017-60YS,115 Nexperia

Name: PSMN017-60YS,115
Brand: Nexperia
SKU: 152741-5
Price: 585 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Technische Details PSMN017-60YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0123 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote PSMN017-60YS,115 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.81 EUR

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN017-60YS,115

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PSMN017-60YS,115

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Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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347+	0.43 EUR
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PSMN017-60YS,115

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PSMN017-60YS,115

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V

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1500+	0.52 EUR
3000+	0.50 EUR

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 175 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
83+	0.86 EUR
94+	0.77 EUR
117+	0.62 EUR
123+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 83

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : NEXPERIA

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 44A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 30 V

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13+	1.37 EUR
17+	1.09 EUR
100+	0.61 EUR

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : Nexperia

MOSFETs PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK

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Anzahl	Preis
2+	1.81 EUR
10+	1.28 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.65 EUR
1500+	0.51 EUR
3000+	0.50 EUR

Mindestbestellmenge: 2

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0123 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

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PSMN017-60YS,115

Hersteller : NEXPERIA

Trans MOSFET N-CH 60V 44A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN017-60YS,115
Produktcode: 202290

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