Produkte > NEXPERIA > PSMN018-100ESFQ
PSMN018-100ESFQ

PSMN018-100ESFQ Nexperia

5psmn018-100esf.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
387+0.46 EUR
393+0.45 EUR
399+0.43 EUR
406+0.42 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 387 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PSMN018-100ESFQ Nexperia

Description: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 111W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: I2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote PSMN018-100ESFQ nach Preis ab 0.33 EUR bis 2.06 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN018-100ESFQ PSMN018-100ESFQ Nexperia 5psmn018-100esf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.48 EUR
381+0.45 EUR
387+0.43 EUR
393+0.4 EUR
399+0.38 EUR
406+0.36 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQ PSMN018-100ESFQ Nexperia 5psmn018-100esf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.08 EUR
172+1 EUR
176+0.94 EUR
179+0.89 EUR
183+0.83 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQ PSMN018-100ESFQ NXP Semiconductors PSMN018-100ESF.pdf Description: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
263+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQ NXP Semiconductors PSMN018-100ESF.pdf PSMN018-100ESFQ
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQ 5psmn018-100esf.pdf
PSMN018-100ESFQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
375+0.48 EUR
381+0.45 EUR
387+0.43 EUR
393+0.4 EUR
399+0.38 EUR
406+0.36 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQ 5psmn018-100esf.pdf
PSMN018-100ESFQ
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 53A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
164+1.08 EUR
172+1 EUR
176+0.94 EUR
179+0.89 EUR
183+0.83 EUR
500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQ PSMN018-100ESF.pdf
PSMN018-100ESFQ
Hersteller: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 111W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
263+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 263 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN018-100ESFQ PSMN018-100ESF.pdf
Hersteller: NXP Semiconductors
PSMN018-100ESFQ
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
329+2.03 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH