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PSMN018-80YS,115

PSMN018-80YS,115 Nexperia USA Inc.

PSMN018-80YS.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PSMN018-80YS,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-100, SOT-669, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia 4381000444318863psmn018-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia 4381000444318863psmn018-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia 4381000444318863psmn018-80ys.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA PSMN018-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia PSMN018_80YS-2938713.pdf MOSFET PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK
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PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN018-80YS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
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Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
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