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Technische Details PSMN059-150Y,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSMN059-150Y,115 nach Preis ab 0.59 EUR bis 3.41 EUR
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN059-150Y,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT669 150V 43A |
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