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PSMN059-150Y,115 Nexperia


3007325018821207psmn059-150y.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN059-150Y,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 113W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia USA Inc. PSMN059-150Y.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 892 Stücke:
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95+1.84 EUR
107+1.61 EUR
141+1.2 EUR
250+1.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 NEXPERIA PHGLS28756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7468 Stücke:
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200+2.3 EUR
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia USA Inc. PSMN059-150Y.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 NEXPERIA PHGLS28756-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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67+3.5 EUR
69+3.13 EUR
200+2.07 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 Nexperia 3007325018821207psmn059-150y.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
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PSMN059-150Y,115 3007325018821207psmn059-150y.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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1500+0.84 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
1500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
auf Bestellung 6985 Stücke:
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6+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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