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PSMN069-100YS,115 Nexperia

Name: PSMN069-100YS,115
Brand: Nexperia
SKU: 6954006-5
Price: 420.00000000000006 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Technische Details PSMN069-100YS,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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PSMN069-100YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN069-100YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V

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PSMN069-100YS,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN069-100YS,115

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Trans MOSFET N-CH 100V 17A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN069-100YS,115

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MOSFETs PSMN069-100YS/SOT669/LFPAK

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PSMN069-100YS,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 17A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 50 V

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PSMN069-100YS,115

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0002880892-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PSMN069-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.0566 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0566ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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PSMN069-100YS,115

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PSMN069-100YS,115

Hersteller : NEXPERIA

PSMN069-100YS.115 SMD N channel transistors

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