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PSMN075-100MSEX

PSMN075-100MSEX Nexperia

4381412479822469psmn075-100mse.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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Technische Details PSMN075-100MSEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : Nexperia 4381412479822469psmn075-100mse.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN075-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V
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42000+0.47 EUR
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Anzahl Preis
1500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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Anzahl Preis
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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1500+0.67 EUR
3000+0.59 EUR
6000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : Nexperia PSMN075-100MSE.pdf MOSFETs N-channel 25 V, 0.72 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 usingNextPowerS3 Technology
auf Bestellung 1138 Stücke:
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3+0.98 EUR
10+0.97 EUR
100+0.66 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.48 EUR
1500+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN075-100MSE.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V
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100+0.71 EUR
500+0.54 EUR
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PSMN075-100MSEX PSMN075-100MSEX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003060196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3034 Stücke:
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auf Bestellung 9 Stücke:
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auf Bestellung 27 Stücke:
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 285 Stücke:
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