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Technische Details PSMN075-100MSEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 25 V, 0.72 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 usingNextPowerS3 Technology |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN075-100MSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.057 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 285 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 18A 8-Pin LFPAK EP T/R |
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PSMN075-100MSEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 50 V |
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| PSMN075-100MSEX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; Idm: 74A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Pulsed drain current: 74A Power dissipation: 65W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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