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PSMN0R9-25YLC,115

PSMN0R9-25YLC.pdf
Produktcode: 124400
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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.39 EUR
34+2.14 EUR
40+1.8 EUR
100+1.63 EUR
250+1.5 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+2.52 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.17 EUR
10000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia PSMN0R9-25YLC.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
auf Bestellung 5441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.03 EUR
10+2.48 EUR
100+1.69 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.24 EUR
1500+1.14 EUR
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 4285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 Nexperia 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 4285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.115.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
30+2.39 EUR
34+2.14 EUR
40+1.8 EUR
100+1.63 EUR
250+1.5 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
218+2.52 EUR
500+2.36 EUR
1000+2.17 EUR
10000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.75 EUR
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
auf Bestellung 5441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.03 EUR
10+2.48 EUR
100+1.69 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.24 EUR
1500+1.14 EUR
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PSMN0R9-25YLC,115 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PSMN0R9-25YLC,115 NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 4285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 4381289269519130psmn0r9-25ylc.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115 NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-25YLC,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 4285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH