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PSMN0R9-25YLDX

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Produktcode: 217048
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Transistoren > MOSFET N-CH

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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia 322267980906758psmn0r9-25yld.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia PSMN0R9-25YLD.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 25V 300A
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PSMN0R9-25YLDX PSMN0R9-25YLDX Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1338 Stücke:
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140+1.01 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4258 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
140+1.05 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+1.43 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPreis
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500+2.61 EUR
1000+2.36 EUR
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 25V 300A
auf Bestellung 2748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.94 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.22 EUR
1500+1.14 EUR
3000+1.08 EUR
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PSMN0R9-25YLDX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
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