Technische Details PSMN0R9-30ULDX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 284A, Pulsed drain current: 1592A, Power dissipation: 227W, Case: SOT1023A, On-state resistance: 1.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 109nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: logic level, Technology: NextPowerS3, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A Pulsed drain current: 1592A Power dissipation: 227W Case: SOT1023A On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: NextPowerS3 Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : Nexperia |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A Pulsed drain current: 1592A Power dissipation: 227W Case: SOT1023A On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 109nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: NextPowerS3 Gate-source voltage: ±20V |
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