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Technische Details PSMN0R9-30ULDX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 1592A, Case: SOT1023A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 284A, On-state resistance: 1.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 227W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: logic level, Gate charge: 109nC, Technology: NextPowerS3, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PSMN0R9-30ULDX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK |
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| PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1592A Case: SOT1023A Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 109nC Technology: NextPowerS3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56 |
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PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PSMN0R9-30ULD/SOT1023/4 LEADS |
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| PSMN0R9-30ULDX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1592A Case: SOT1023A Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 109nC Technology: NextPowerS3 |
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