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PSMN0R9-30YLDX

PSMN0R9-30YLDX Nexperia

804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Technische Details PSMN0R9-30YLDX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN0R9-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
auf Bestellung 16500 Stücke:
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1500+1.87 EUR
3000+1.82 EUR
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Anzahl Preis
79+1.93 EUR
80+1.84 EUR
100+1.76 EUR
250+1.68 EUR
500+1.60 EUR
1000+1.52 EUR
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : Nexperia 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
22+3.40 EUR
24+3.09 EUR
28+2.59 EUR
30+2.46 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : Nexperia PSMN0R9_30YLD-2938879.pdf MOSFETs PSMN0R9-30YLD/SOT1023/4 LEADS
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10+3.38 EUR
100+2.80 EUR
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500+2.25 EUR
1000+2.22 EUR
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN0R9-30YLD.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
auf Bestellung 17508 Stücke:
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4+5.72 EUR
10+3.72 EUR
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003101015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003101015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX Hersteller : NEXPERIA 804048637914140psmn0r9-30yld.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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