Technische Details PSMN102-200Y,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 113W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm.
Weitere Produktangebote PSMN102-200Y,115 nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V |
auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 10500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 67053 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
MOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V |
auf Bestellung 14812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN102-200Y,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 113W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm |
auf Bestellung 9192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 39 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PSMN102-200Y,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 39 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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PSMN102-200Y,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 113W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm |
auf Bestellung 9192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.89 EUR |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.05 EUR |
| 3000+ | 0.96 EUR |
| 4500+ | 0.93 EUR |
| 7500+ | 0.88 EUR |
| 10500+ | 0.86 EUR |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| 10000+ | 1.86 EUR |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 67053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 248+ | 2.67 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.12 EUR |
| 10000+ | 1.86 EUR |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
MOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.5 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| 100+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.18 EUR |
| 1000+ | 1.02 EUR |
| 1500+ | 0.95 EUR |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
auf Bestellung 14812 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.56 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.2 EUR |
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMN102-200Y,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMN102-200Y,115 |
|
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PSMN102-200Y,115 |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)