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PSMN102-200Y,115 Nexperia

Name: PSMN102-200Y,115
Brand: Nexperia
SKU: 6954035-5
Price: 146.85000000000002 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Technische Details PSMN102-200Y,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PSMN102-200Y,115

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN102-200Y,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V

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PSMN102-200Y,115

Hersteller : Nexperia

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PSMN102-200Y,115

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V

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PSMN102-200Y,115

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PSMN102-200Y,115

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PSMN102-200Y,115

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PSMN102-200Y,115

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MOSFETs 200V, 21.5A, N-Channel TrenchMOS SiliconMAX Standard Level FET

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10+	0.94 EUR
100+	0.87 EUR
250+	0.86 EUR
1000+	0.83 EUR
1500+	0.81 EUR

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PSMN102-200Y,115

Hersteller : NEXPERIA

PHGLS22546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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PSMN102-200Y,115

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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PSMN102-200Y,115

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PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors

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