Technische Details PSMN1R0-40ULDX Nexperia USA Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: NextPowerS3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 198A, Pulsed drain current: 1168A, Power dissipation: 164W, Case: SOT1023A, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.45mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 127nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: logic level.
Weitere Produktangebote PSMN1R0-40ULDX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PSMN1R0-40ULDX | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PSMN1R0-40ULDX | Nexperia |
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN1R0-40ULDX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A Type of transistor: N-MOSFET Technology: NextPowerS3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 198A Pulsed drain current: 1168A Power dissipation: 164W Case: SOT1023A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 127nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN1R0-40ULDX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
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Stück im Wert von UAH
| PSMN1R0-40ULDX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A
MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A
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Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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| PSMN1R0-40ULDX |
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Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1168A
Power dissipation: 164W
Case: SOT1023A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1168A
Power dissipation: 164W
Case: SOT1023A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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