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PSMN1R1-100CSEJ

PSMN1R1-100CSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-100CSE.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.09mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
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Technische Details PSMN1R1-100CSEJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 1.55kW, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CCPAK1212i, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSEJ Nexperia PSMN1R1-100CSE.pdf MOSFETs PSMN1R1-100CSE/SOT8005A/CCPAK1
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PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSEJ NEXPERIA 4421159.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 430A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
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PSMN1R1-100CSEJ PSMN1R1-100CSEJ NEXPERIA 4421159.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
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Hersteller: Nexperia
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Description: NEXPERIA - PSMN1R1-100CSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1090 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1090µohm
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