auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 1.02 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN1R7-30YL,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00129 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 109W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN1R7-30YL,115 nach Preis ab 1.03 EUR bis 3.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 15120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK |
auf Bestellung 1892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V |
auf Bestellung 2246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00129 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 109W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00129 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 109W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00129ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
PSMN1R7-30YL,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |