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PSMN1R8-30PL,127

PSMN1R8-30PL,127 Nexperia

4380827652647641psmn1r8-30pl.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Technische Details PSMN1R8-30PL,127 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN1R8-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Hersteller : Nexperia PSMN1R8_30PL-2938770.pdf MOSFET PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P
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PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN1R8-30PL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10180 pF @ 12 V
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PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059669-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R8-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Hersteller : NEXPERIA 4380827652647641psmn1r8-30pl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN1R8-30PL,127 Hersteller : NEXPERIA PSMN1R8-30PL.pdf PSMN1R8-30PL.127 THT N channel transistors
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PSMN1R8-30PL,127 PSMN1R8-30PL,127 Hersteller : Nexperia 4380827652647641psmn1r8-30pl.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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