PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.32 EUR |
| 3000+ | 1.23 EUR |
| 4500+ | 1.18 EUR |
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Technische Details PSMN1R8-40YLC,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V, Verlustleistung: 272W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Weitere Produktangebote PSMN1R8-40YLC,115 nach Preis ab 1.33 EUR bis 4.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia |
MOSFETs N-channel 40 V 1.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R8-40YLC,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V |
auf Bestellung 5658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN1R8-40YLC,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V Verlustleistung: 272W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PSMN1R8-40YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.33 EUR |
| PSMN1R8-40YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 1.34 EUR |
| PSMN1R8-40YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 246+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.49 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| PSMN1R8-40YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs N-channel 40 V 1.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
MOSFETs N-channel 40 V 1.8 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.53 EUR |
| 10+ | 2.7 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 500+ | 1.77 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| 1500+ | 1.45 EUR |
| 3000+ | 1.43 EUR |
| PSMN1R8-40YLC,115 |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 20 V
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|---|---|
| 5+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 1.89 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| PSMN1R8-40YLC,115 |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: NEXPERIA - PSMN1R8-40YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 272W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)