PSMN1R9-80SSJJ Nexperia USA Inc.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.52 EUR |
| 10+ | 8.43 EUR |
| 50+ | 6.66 EUR |
| 100+ | 6.09 EUR |
| 500+ | 5.7 EUR |
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Technische Details PSMN1R9-80SSJJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 286A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 500W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK88, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.
Weitere Produktangebote PSMN1R9-80SSJJ nach Preis ab 9.47 EUR bis 31.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PSMN1R9-80SSJJ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 286A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK88 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN1R9-80SSJJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN1R9-80SSJJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500W
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Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 31.64 EUR |
| 12+ | 19.77 EUR |
| 100+ | 11.72 EUR |
| 500+ | 9.66 EUR |
| 1000+ | 9.47 EUR |
| PSMN1R9-80SSJJ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
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Description: NEXPERIA - PSMN1R9-80SSJJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 286 A, 1900 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 31.64 EUR |
| 12+ | 19.77 EUR |
| 100+ | 11.72 EUR |
| 500+ | 9.66 EUR |
| 1000+ | 9.47 EUR |