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PSMN2R0-25MLDX

PSMN2R0-25MLDX Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 25V 70A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 1301 Stücke:
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Technische Details PSMN2R0-25MLDX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Body), Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V.

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PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25MLDX Nexperia USA Inc. PSMN2R0-25MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
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PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25MLDX Nexperia PSMN2R0-25MLD.pdf MOSFETs SOT1210 N-CH 25V 70A
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PSMN2R0-25MLDX PSMN2R0-25MLDX Nexperia USA Inc. PSMN2R0-25MLD.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 12 V
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.27mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.4 nC @ 10 V
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FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
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