PSMN2R0-55YLHX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V
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Technische Details PSMN2R0-55YLHX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V, Verlustleistung: 333W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower-S3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm.
Weitere Produktangebote PSMN2R0-55YLHX nach Preis ab 2.2 EUR bis 13.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PSMN2R0-55YLHX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 5975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Nexperia |
MOSFETs SOT1023 N-CH 55V 200A |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V |
auf Bestellung 18730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V Verlustleistung: 333W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower-S3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R0-55YLHX |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 152+ | 4.36 EUR |
| 500+ | 4.06 EUR |
| 1000+ | 3.75 EUR |
| PSMN2R0-55YLHX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT1023 N-CH 55V 200A
MOSFETs SOT1023 N-CH 55V 200A
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.27 EUR |
| 10+ | 5.18 EUR |
| 100+ | 3.31 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 1000+ | 2.57 EUR |
| 1500+ | 2.39 EUR |
| 3000+ | 2.2 EUR |
| PSMN2R0-55YLHX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V
Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V
auf Bestellung 18730 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.53 EUR |
| 10+ | 6.32 EUR |
| 100+ | 4.51 EUR |
| 500+ | 3.99 EUR |
| PSMN2R0-55YLHX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.84 EUR |
| 26+ | 9.04 EUR |