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Technische Details PSMN2R0-55YLHX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 0.00163 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower-S3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PSMN2R0-55YLHX nach Preis ab 2.32 EUR bis 6.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADSPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 30 V, 2.2 mOhm, ASFET for hotswap with enhanced SOA in LFPAK56 |
auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11353 pF @ 27 V |
auf Bestellung 14630 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 0.00163 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower-S3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 0.00163 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: LFPAK56E Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: NextPower-S3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00163ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN2R0-55YLHX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |