Technische Details PSMN2R6-40YS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 131W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PSMN2R6-40YS,115 nach Preis ab 1.22 EUR bis 3.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V |
auf Bestellung 34500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3776 pF @ 12 V |
auf Bestellung 34604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product. |
auf Bestellung 6457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1089 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 131W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1091 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : NXP |
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 131Вт Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PSMN2R6-40YS,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 131W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 131W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |