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PSMN2R6-60PSQ

PSMN2R6-60PSQ Nexperia

3012955443312848psmn2r6-60ps.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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Technische Details PSMN2R6-60PSQ Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PSQ Nexperia 3012955443312848psmn2r6-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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PSMN2R6-60PSQ PSMN2R6-60PSQ NXP USA Inc. PHGL-S-A0001060194-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7629 pF @ 25 V
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Hersteller: NXP USA Inc.
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
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